宽禁带半导体简介
市场营销 / 2025-01-08
宽禁带半导体是什么? 1. 宽禁带半导体的定义 宽禁带半导体是指具有较大的带隙能量(通常大于1.5电子伏特)的半导体材料,如氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等。相对于传统的硅材料,宽禁带半导体的带隙能量更大,因此具有更高的电子迁移速度和更好的热稳定性。 2. 宽禁带半导体的特性 宽禁带半导体具有以下特性: (1)高电子迁移速度:宽禁带半导体具有更高的电子迁移速度,因此可以实现更高的开关频率和更高的功率密度。 (2)高热稳定性:宽禁带半导体的热稳定性更好,可以在更高的温度下工作,从而实现更高的